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GaN蟄伏15年將迎爆發:未來幾年價格將逼近矽

2020-03-02 08:51:59 來源:半導體投資聯盟

小米10亮相即成為新晉“帶貨王”,帶火GaN(氮化鎵)充電器、WiFi6等配置的同時也將推動行業的硬件升級,GaN作為一種新半導體材料,給充電器帶來了無法想象的效果。

GaN器件可以實現比矽器件快100倍的開關速度。矽半導體器件向前推進可以實現200K開關頻率,而以納微GaN產品為例,單管已經可以實現20M的開關頻率。被小米10 Pro充電器采用的納微半導體65W氮化GaN方案,開關頻率僅設計在500K左右,是傳統矽器件的6-7倍的速度,但其優點已經非常顯著了。

GaN從IR做第一個功率器件到現在已曆時15年以上,而2018年後GaN器件才真正進入一個大批量量產的過程。目前GaN功率器件玩家主要有兩類,一類是基於IR“基因”的初創公司,另一類是功率半導體巨頭們,不過每一家在技術路線上都有明顯的差異,且每一家都在走嘗試性路線。相比矽半導體方面,GaN方案在體積、效率等方面優勢明顯。在價格方面,由於GaN器件的量還沒有起來,所以價格是傳統矽器件的2倍以上,但是可以預見在未來的2-3年,GaN器件價格將以每年20%-30%下降,因此會迅速逼近矽器件的成本,這也是GaN迎來爆發式增長的關鍵節點。

在消費領域納微GaN產品優勢已得以體現,去年累計出貨量實現150萬顆。隨著GaN器件在手機以及筆記本電腦領域滲透率進一步提升,我們認為GaN器件今年在消費市場總體出貨量會在1500-2000萬顆。

服務器電源、數據中心電源、5G基站電源這叁大領域的共同特點是,需要省電、效率需提升、功率等級不是很大,而這恰符合GaN工作的范疇。

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