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GaN蛰伏15年将迎爆发:未来几年价格将逼近硅

2020-03-02 来源:上海联净 浏览数:573

小米10亮相即成为新晋“带货王”,带火GaN(氮化镓)充电器、WiFi6等配置的同时也将推动行业的硬件升级,GaN作为一种新半导体材料,给充电器带来了无法想象的效果。

GaN器件可以实现比硅器件快100倍的开关速度。硅半导体器件向前推进可以实现200K开关频率,而以纳微GaN产品为例,单管已经可以实现20M的开关频率。被小米10 Pro充电器采用的纳微半导体65W氮化GaN方案,开关频率仅设计在500K左右,是传统硅器件的6-7倍的速度,但其优点已经非常显著了。

GaN从IR做第一个功率器件到现在已历时15年以上,而2018年后GaN器件才真正进入一个大批量量产的过程。目前GaN功率器件玩家主要有两类,一类是基于IR“基因”的初创公司,另一类是功率半导体巨头们,不过每一家在技术路线上都有明显的差异,且每一家都在走尝试性路线。相比硅半导体方面,GaN方案在体积、效率等方面优势明显。在价格方面,由于GaN器件的量还没有起来,所以价格是传统硅器件的2倍以上,但是可以预见在未来的2-3年,GaN器件价格将以每年20%-30%下降,因此会迅速逼近硅器件的成本,这也是GaN迎来爆发式增长的关键节点。

在消费领域纳微GaN产品优势已得以体现,去年累计出货量实现150万颗。随着GaN器件在手机以及笔记本电脑领域渗透率进一步提升,我们认为GaN器件今年在消费市场总体出货量会在1500-2000万颗。

服务器电源、数据中心电源、5G基站电源这三大领域的共同特点是,需要省电、效率需提升、功率等级不是很大,而这恰符合GaN工作的范畴。

 

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